堇青石载体上TS-1 晶体的生长控制与机理
摘 要：以四丙基氢氧化铵(TPAOH)为模板剂，正硅酸乙酯(TEOS)为硅源，钛酸四丁酯(TBOT)为钛源，采用水热合成结晶法在堇青石载体上结晶生长TS-1 晶体．实验考察了在175℃、结晶时间3d 的条件下，不同水与硅源比例(硅源质量分数)、模板剂质量分数对TS-1 晶体在堇青石载体上生长及其粒径的影响；同时通过SEM、ATR-FTIR、XRD 表征手段分析TS-1 晶体颗粒在堇青石载体上生长机理．结果表明，TS-1 合成前驱液中硅源和模板剂质量分数直接影响TS-1 晶体在堇青石载体上结晶过程中的骨架胶团浓度和过饱和度，通过控制过饱和度可以调控堇青石载体上TS-1 纳米晶体颗粒的大小．
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