首页    |     本刊简介    |     征稿简则    |     征订启事    |     联系我们    |
天津科技大学学报欢迎您投稿!
 
   采编平台 /// 
 
    • 作者投稿  
    • 专家审稿  
    • 编辑办公  
 
   
 
   期刊论文 /// 
 
    • 全文浏览  
    • 论文检索  
    • 浏览排行  
 
   
 
   下载中心 /// 
 
    • 论文模板
    • 在研证明模板
    • 平台使用说明
 
   
 
 您现在的位置: 首页» 学报论文» 2015-6»  

大尺寸硒化镉单晶生长及性能表征

张颖武,练小正,程红娟

摘 要:硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe 单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS 和Raman 测试显示,在晶体生长初期形成了CdSexS1-x,随着晶体生长硫元素含量逐渐减少并最终消失,最终生长出的CdSe 材料为纯相的纤锌矿型CdSe 晶体材料.XRD 测试显示CdSe 晶体的晶格完整性较高.以上结果表明,PVT 法是一种理想的大尺寸CdSe 单晶生长方法.



论文下载:
  • 07.pdf
  •   浏览次数:
     
     

    版权所有:《天津科技大学学报》编辑部

    网站设计与维护:天津科技大学信息化建设与管理办公室

    津科备27-1号