摘 要：采用导纳谱对SiGe 双层量子点进行测试，通过对测试数据分别进行多频和单频处理，发现两者获得的激活能存在差别，原因主要来自衬底肖特基势垒或是缺陷、杂质等漏电流产生的附加电导．因此，对量子点样品的衬底材料p 型Si进行导纳谱测试，从理论上分析和给出其电导的具体形式，并给出具体参数α 作为判断附加电导影响大小的依据．对量子点样品的导纳谱测试结果进行修正，在总电导上减去附加电导，使单频和多频的处理结果完全一致，从而得到更加准确的结果．

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